GaN是氮和鎵的化合物。 GaN氮化鎵LED燈珠是屬于直接能隙之半導體材料，其能隙為3.4ev， 而aln為6.3ev，
inn為2.0ev，將這幾種材料做成混晶時，可以將能隙從2.0ev連續(xù)改變到6.3ev，因此可以獲得從紫外線、紫光、藍光、綠光到黃光等范圍的顏色
美國康奈爾大學聯(lián)合諾特丹大學以及IQE RF LLC公司共同研發(fā)出一款再生長GaN氮化鎵LED燈珠
;該器件的底層結(jié)構(gòu)由氮化鎵襯底構(gòu)成，再通過金屬有機化合物化學氣相沉淀(MOCVD)工藝在其表面生長8微米厚含~2x1016/cm3濃度硅摻雜的氮化鎵層。上表面再用鹽酸清洗，并使用分子束外延(MBE)在清潔的表面鍍上400nm
~1018/cm3的鎂摻雜P-GaN層和20nm的p++-GaN保護層。
整個P極的結(jié)構(gòu)為梯形，并生長在n型摻雜的氮化鎵結(jié)構(gòu)上。正極材料采用了鈀或者金，負極材料采用了鈦或者金。整個器件使用旋涂式玻璃層覆蓋。
特性與優(yōu)點
研究人員表示再生長結(jié)構(gòu)是高性能垂直氮化鎵開關(guān)的選擇性摻雜技術(shù)的關(guān)鍵一環(huán)。
通過電容電壓測量方法，研究人員發(fā)現(xiàn)相比原生結(jié)構(gòu)的LED燈珠內(nèi)建電壓(~3.2V)，再生長結(jié)構(gòu)有一些降低(~2.2V)。這種電壓的變化極有可能是由于禁帶的變化以及缺陷密度上升。
研究人員同樣表示，對于原生的LED燈珠，這種LED燈珠在300-600nm之前的光譜強度是之前的三十分之一。這意味著這種再生長LED燈珠擁有更多的非輻射性復合過程。
與此同時，在一定溫度范圍內(nèi)(25-125°C)工作電阻(Ron)會隨之上升。這一趨勢意味著Ron的變化主要取決于n型摻雜層的電阻(rn)。因為，位于較低位錯密度中，n型摻雜的氮化鎵中的電子遷移率受到了聲子散射的影響，從而隨著溫度的上升，遷移率開始下降，電阻隨之上升。
為什么不用MOCVD鍍膜?
研究人員發(fā)現(xiàn)，MOCVD工藝在再生長中存在一些缺陷，比如在一些非平面結(jié)構(gòu)中的高幾率缺陷以及晶向摻雜中的高依賴性。同時，由于鎂記憶/擴散效應，在該工藝下，p型和n型摻雜材料的交界處會生長出尖銳邊緣。除此之外，MOCVD中的氫氣也會影響p型摻雜層中的鎂。
根據(jù)研究人員測量，對于一個直徑為107微米的器件來說，[敏感詞]的反向擊穿電壓為1136V，在擊穿之前的漏電流的密度只有0.1A/cm2。而且，對于這種LED燈珠，并未檢測到雪崩擊穿效應發(fā)生。
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